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SST89V516RD2-33-I-TQJE 参数 Datasheet PDF下载

SST89V516RD2-33-I-TQJE图片预览
型号: SST89V516RD2-33-I-TQJE
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内容描述: FlashFlex MCU [FlashFlex MCU]
分类和应用:
文件页数/大小: 81 页 / 832 K
品牌: SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
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FlashFlex MCU
SST89E516RD2 / SST89E516RD
SST89V516RD2 / SST89V516RD
数据表
产品特点:
•8位8051兼容微控制器( MCU)
与嵌入式超快闪记忆
- 完全软件兼容
- 开发工具兼容
- 引脚对引脚兼容封装
• SST89E516RD2操作
- 0 〜40兆赫在5V
• SST89V516RD2操作
- 0 〜33 MHz的电压为3V
• 1字节的内部RAM
•双座超快闪EEPROM
- 64 K字节的主块+
8 K字节二级块
( 128字节扇区大小为块)
- 单个块安全锁与SoftLock
- 在并发操作
在应用编程( IAP )
- 内存覆盖了IAP期间中断支持
•支持外部地址范围多达64个
程序和数据存储器的K字节
•三高电流驱动端口(每个16毫安)
• 3个16位定时器/计数器
•全双工增强型UART
- 帧错误检测
- 自动地址识别
•十个中断源在4个优先级
- 4个外部中断输入
•可编程看门狗定时器( WDT)
•可编程计数器阵列( PCA )
• 4个8位I / O端口( 32个I / O引脚)和
一个4位端口
•第二DPTR寄存器
•低EMI模式(禁止ALE )
• SPI串行接口
•标准每个周期12个时钟周期,该设备具有
选项​​的速度增加一倍,每个周期6个时钟周期。
• TTL和CMOS兼容逻辑电平
•欠压检测
•低功耗模式
- 与外部中断唤醒掉电模式
•空闲模式
•温度范围:
=商业( 0 ° C至+ 70 ° C)
=工业( -40 ° C至+ 85°C )
•封装
- 40 - 接触WQFN (端口4功能不可用)
- 44引脚PLCC
- 40引脚PDIP (端口4功能不可用)
- 44引脚TQFP
•所有非铅(无铅)器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST89E516RDx和SST89V516RDx是会员
在FlashFlex系列8位微控制器产品
设计和SST的专利和制造的亲
专有的超快闪CMOS半导体工艺技
术。分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿
喷油器为SST的提供显著的成本和可靠性优势
客户。该设备使用的8051指令集和
引脚对引脚与标准8051兼容microcontrol-
LER装置。
该设备配有72 K字节的片上闪存
它被分成2 EEPROM程序存储器
独立程序的存储器块。主座0
占地64 K字节的内部程序存储器空间和
二级1座占地8字节的内部亲中
程序存储空间。
8- K字节次级块可以被映射到最低
64 KB的地址空间中的位置;它也可以hid-
从程序计数器巢穴和作为一个独立的
EEPROM般的数据存储器。
© 2007硅存储技术公司
S71273-03-000
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除了在72 K字节的EEPROM的程序存储器
片上和片上RAM 1024 ×8位,所述装置可以
寻址高达64K字节的外部程序存储器
andup 64 K字节的外部RAM 。
闪速存储器的块可以通过一个标进行编程
准87C5x OTP EPROM编程器配有一个专用
适配器和固件SST的设备。在加电
复位时,该装置可被配置为从设备,以
外部主机对源代码存储或主给
外部主机一个在应用编程( IAP )能操作
通报BULLETIN 。该设备的设计中,系进行编程
统和在应用上的印刷电路板为
最大的灵活性。该设备被预先编程以
在存储器中的引导加载程序的一个例子, demon-
strating初始用户程序代码加载或后续
用户代码通过IAP操作更新。样品
引导加载程序可为用户的参考和
只有方便; SST不保证其功能
或有用。芯片擦除或块擦除操作将
擦除预编程示例代码。
硅存储技术公司的SST标志,超快闪和FlashFlex的注册商标
规格若有变更,恕不另行通知。