FlashFlex MCU
SST89E52RC / SST89E54RC
数据表
产品特点：
•8位8051兼容微控制器（ MCU）
与嵌入式超快闪记忆
- 完全软件兼容
- 开发工具兼容
- 引脚对引脚兼容封装
• SST89E5xRC操作
- 0〜 33MHz的电压为5V
•总计512字节的内部RAM
（ 256字节默认+
256字节通过软件启用）
•单座超快闪EEPROM
- SST89E54RC ： 16 K字节的主分区+
1 K字节辅助分区
- SST89E52RC ： 8 K字节的主分区+
1 K字节辅助分区
- 主分区分为四页
- 第二个分区具有单页
- 个人网页安全锁
•在系统编程（ ISP ）
- 在应用编程（ IAP ）
- 小部门架构： 128字节扇区大小
•支持外部地址范围多达64个
程序和数据存储器的K字节
• 3个高电流P1口（每个16毫安）
• 3个16位定时器/计数器
•全双工增强型UART
- 帧错误检测
- 自动地址识别
•八个中断源，在4个优先级
•可编程看门狗定时器（ WDT）
• 4个8位I / O端口（ 32个I / O引脚）
•第二DPTR寄存器
•低EMI模式（禁止ALE ）
•标准每个周期12个时钟周期，该设备具有
选项的速度增加一倍，每个周期6个时钟周期。
• TTL和CMOS兼容逻辑电平
•低功耗模式
- 与外部中断唤醒掉电模式
•空闲模式
•可选的运行时钟
- 分割下来到1/4 ， 1/16 ， 1/256 ，或者1 /第1024
•温度范围：
=商业（ 0 ° C至+ 70 ° C）
•封装
• 40引脚PDIP
- 44引脚PLCC
•所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST89E52RC / SST89E54RC是成员
FlashFlex系列8位微控制器产品设计
与SST的专利和专有制造
超快闪CMOS半导体工艺技术。
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
为我们定做提供显著的成本和可靠性优势
ers.The设备使用的8051指令集和引脚都
对引脚与标准8051兼容微控制器
设备。
该设备配有17/9 K字节的片上闪存
其中又分为2不知疲倦EEPROM程序存储器
吊灯程序存储器分区。主分区
占地16/8 K字节的内部程序存储空间
而第二个分区占用1K字节的内部
程序存储器空间。
闪速存储器可通过一个标准进行编程
87C5x OTP EPROM编程器配有一个专用
适配器和固件SST的设备。在上电
复位时，设备可以被配置为从设备到一个
外部主机的源代码存储或主机的
© 2007硅存储技术公司
S71259-04-000
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外部主机的系统内编程（ ISP ）操作
化。该设备的设计中，系进行编程
统的印刷电路板上实现最大的灵活性。一
例如引导加载程序（ BSL ）在内存中， demon-
strating初始用户程序代码加载或随后
用户代码通过ISP操作的更新，被设置在
SST网站。样品BSL是对于用户的参考
只; SST不保证其功能。
除了17/9 K字节的超快闪EEPROM程序
存储器芯片和片上RAM 512 ×8位，则
设备可以处理多达64K字节的外部程序
内存和多达64 K字节的外部RAM 。
在高可靠性，专利SST SuperFlash技术
和存储器单元结构有一些重要的
优点对于设计和制造闪光
EEPROM的。这些优势转化为显著的成本
和可靠性优势为我们的客户。
硅存储技术公司的SST标志，超快闪和FlashFlex的注册商标
规格若有变更，恕不另行通知。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
