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SST89E58RD2-40-I-NJE 参数 Datasheet PDF下载

SST89E58RD2-40-I-NJE图片预览
型号: SST89E58RD2-40-I-NJE
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内容描述: FlashFlex51 MCU [FlashFlex51 MCU]
分类和应用: 外围集成电路微控制器PC时钟
文件页数/大小: 81 页 / 939 K
品牌: SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
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FlashFlex51 MCU
SST89E52RD2 / RD / SST89E54RD2 / RD / SST89E58RD2 / RD
SST89V52RD2 / RD / SST89V54RD2 / RD / SST89V58RD2 / RD
SST89E / V58 / 54 / 52RD2 / RD FlashFlex51 MCU
数据表
产品特点:
•8位8051兼容微控制器( MCU)
与嵌入式超快闪记忆
- 完全软件兼容
- 开发工具兼容
- 引脚对引脚兼容封装
• SST89E5xRD2操作
- 0 〜40兆赫在5V
• SST89V5xRD2操作
- 0 〜33 MHz的电压为3V
• 1字节的内部RAM
•双座超快闪EEPROM
- 8/16/32 K字节的主块+
8 K字节二级块
( 128字节扇区大小为块)
- 单个块安全锁与SoftLock
- 在并发操作
在应用编程( IAP )
- 内存覆盖了IAP期间中断支持
•支持外部地址范围多达64个
程序和数据存储器的K字节
•三高电流驱动端口(每个16毫安)
• 3个16位定时器/计数器
•全双工增强型UART
- 帧错误检测
- 自动地址识别
•十个中断源在4个优先级
- 4个外部中断输入
•可编程看门狗定时器( WDT)
•可编程计数器阵列( PCA )
• 4个8位I / O端口( 32个I / O引脚)和
一个4位端口
•第二DPTR寄存器
•低EMI模式(禁止ALE )
• SPI串行接口
•标准每个周期12个时钟周期,该设备具有
选项​​的速度增加一倍,每个周期6个时钟周期。
• TTL和CMOS兼容逻辑电平
•欠压检测
•低功耗模式
- 与外部中断唤醒掉电模式
•空闲模式
•温度范围:
=商业( 0 ° C至+ 70 ° C)
=工业( -40 ° C至+ 85°C )
•封装
- 40 - 接触WQFN (端口4功能不可用)
- 44引脚PLCC
- 40引脚PDIP (端口4功能不可用)
- 44引脚TQFP
•所有非铅(无铅)器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST89E5xRD2 / RD和SST89V5xRD2 / RD是
在FlashFlex51系列8位微控制器的成员
产品设计与SST的专利制造
和专有的SuperFlash CMOS半导体亲
塞斯技术。分裂栅单元设计和厚氧化层
隧道喷油器提供显著的成本和创造收益的可靠性
适合用于SST公司的客户。该设备使用的8051指令
中置和引脚对引脚与标准8051兼容
微控制器的设备。
该设备配备了16/24/40 K字节的片上闪存
它被分成2 EEPROM程序存储器
独立程序的存储器块。主座0
占地8/16/32 K字节的内部程序存储空间
与二次1座占地内部8 K字节
程序存储器空间。
8- K字节次级块可以被映射到最低
在8/16/32 KB的地址空间中的位置;它也可以是
从程序计数器隐藏和用作indepen-
凹痕EEPROM般的数据存储器。
除了16/24/40 K字节的EEPROM的程序的
内存芯片上,该设备可以处理多达64 K字节
的外部程序存储器。除了1024 ×8位
片上RAM ,多达64 K字节的外部RAM可
解决。
闪速存储器的块可以通过一个标进行编程
准87C5x OTP EPROM编程器配有一个专用
适配器和固件SST的设备。在加电
复位时,该装置可被配置为从设备,以
外部主机对源代码存储或主给
外部主机一个在应用编程( IAP )能操作
通报BULLETIN 。该设备的设计中,系进行编程
统和在应用上的印刷电路板为
最大的灵活性。该设备被预先编程以
在存储器中的引导加载程序的一个例子, demon-
strating初始用户程序代码加载或后续
用户代码通过IAP操作更新。样品
引导加载程序可为用户的参考和
只有方便; SST不保证其功能
或有用。芯片擦除或块擦除操作将
擦除预编程示例代码。
©2006硅存储技术公司
S71255-05-000
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硅存储技术公司的SST标志,超快闪和FlashFlex的注册商标
规格若有变更,恕不另行通知。