FlashFlex51 MCU
SST89E564RD / SST89V564RD / SST89E554RC / SST89V554RC
初步规格
4.0 FLASH存储器编程
该器件内部闪存进行编程或
使用以下两种方法擦除：
•
•
外部主机模式
在应用编程（ IAP ）模式
逻辑高电平为逻辑低电平，同时RST输入正在举行CON-
tinuously高。该设备将留在外部主机模式
只要RST = 1和PSEN ＃ = 0 。
一个读ID操作是必要的“手臂”的装置
在外部主机模式，并没有其他外部主机模式的COM
mands可以启用，直到读ID进行。在
外部主机模式，内部闪存块
通过重新分配的I / O端口引脚访问（见图
聚体，印刷电路板测试仪或PC机控制开发板。
SST89E564RD/SST89V564RD
P3[6]
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
Il
V
Il
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
P2[7]
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
Il
V
Il
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
P2[6]
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
P0[7:0]
DO
X
X
X
DI
DO
X
X
X
X
X
X
P3[5:4]
P2[5:0]
AH
X
X
AH
AH
AH
55H
A5H
5AH
X
X
X
P1[7:0]
AL
X
X
AL
AL
AL
X
X
X
X
X
X
T4-1.0 555
4.1外部主机编程模式
外部主机编程模式允许用户亲
直接克闪存存储器，而不使用CPU 。
外部主机模式是通过迫使PSEN ＃从进入
表
手术
读ID
芯片擦除
块擦除
扇区擦除
字节编程
字节验证（阅读）
Select-Block0
Select-Block1
Prog-SC0
Prog-SB1
Prog-SB2
Prog-SB3
4-1: E
XTERNAL
H
OST
M
ODE
C
OMMANDS
RST
V
IH1
V
IH1
V
IH1
V
IH1
V
IH1
V
IH1
V
IH1
V
IH1
V
IH1
V
IH1
V
IH1
V
IH1
PSEN ＃
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
PROG ＃ /
ALE
V
IH
⇓
⇓
⇓
⇓
V
IH
⇓
⇓
⇓
⇓
⇓
⇓
为
EA ＃
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
P3[7]
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
注意：
符号
⇓
表示一个负脉冲，并在PROG ＃ / ALE输入的低电平状态的命令是断言。所有其他组合
上述输入引脚是无效的并且可能会导致意想不到的行为。
注意：
V
IL
=输入低电压;
V
IH
=输入高电压;
V
IH1
=输入高电压（ XTAL ， RST ） ; X =无关; AL =地址低字节;
AH =地址高字节; DI =数据输入; DO =数据输出
©2001硅存储技术公司
S71207-00-000 9/01
555
27
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
