产品说明
斯坦福Microdevices的SLN - 186是一款高性能
砷化镓异质结双极型晶体管的MMIC
容纳在一个低成本表面安装塑料封装中。一
达林顿配置用于宽带性能
从DC - 4.0 GHz的。
在SLN - 186只需要2隔直流电容器和一个
偏置电阻器进行操作。噪声系数可以通过优化
使用2-元件的输入匹配，得到<2.0分贝噪声
图。
这50欧姆低噪声放大器只需要一个电源电压和
绘制仅为8mA 。对于宽带应用，它可以是
偏置在6毫安与噪声系数和增益的影响最小。
在SLN - 186在磁带和卷轴可在1000 ， 3000和
每卷5000设备。
SLN-186
DC - 4.0千兆赫， 3.5伏
50欧姆的低噪声放大器MMIC放大器
产品特点
•
专利技术，可靠的GaAs HBT技术
•
低噪声系数： 2.0分贝从0.1到1.5 GHz的
•
关联度高增益： 22分贝典型。在2.0 GHz的
•
真正的50欧姆MMIC ：无需外部匹配
需要
•
低电流消耗：仅为8mA
噪声系数与频率的关系
3
低噪声MMIC产品
•
低成本表面贴装塑料封装
2.5
6毫安
dB
2
8毫安
1.5
0.1
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
应用
•
AMPS ， PCS ， DECT ，手机
•
三频&宽带接收器
GHz的
在大电气规格= 25℃
S YM B OL
P一R A M E T E R 5 ：率T e S T C 0 N D I T IO N s个
加利其
M IN 。
TY页。
M AX 。
NF
50 OHM
S
21
VSW ř
NF
50 OHM
S
21
VSW ř
N}÷为e ˚F IG ü重新在5 0 O小时分钟S：
V·D S = 3 .5 V ， I D S = 8μm的
5 0 O小时分钟G A在：
V·D S = 3 .5 V ， I D S = 8μm的
5 0 O小时分钟M A T C H（在P U被T A N D O u那样TP ü吨） ：
V·D S = 3 .5 V ， I D S = 8μm的
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V·D S = 3 0.2 V， I D S = 6μm的
5 0 O小时分钟G A在：
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5 0 O小时分钟M A T C H（在P U被T A N D O u那样TP ü吨） ：
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Ø本安输出P owerat 1天BC OMP重新SS IO N：
F = D C -1 0.5摹ħ ž
在T牛逼ħ IR D 2 O R D所è R IN T E R C ê P吨P 2 O 5 ：
F = D C -1 0.5摹ħ ž
F = D C -1 0.5摹ħ ž
F = 1 。 5 - 4 0.0摹ħ ž
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V D = 3 .5 V ，ID = 8μm的
V D = 3 0.2 V ，ID = 6μm的
V D = 3 .5 V ，ID = 8μm的
V D = 3 0.2 V ，ID = 6μm的
dB
dB
dB
-
dB
dB
dB
-
DBM
DBM
DBM
14
19
2 .0
2 .4
22
20
1 .8 :1
3 .0 :1
2 .2
2 .6
17
16
1 .4 :1
2 .5 :1
-1 0
-1 2
+5
+3
2 .4
2 .5
P
1dB
IP
3
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