产品说明
斯坦福Microdevices的SLN - 286是一款高性能
砷化镓异质结双极型晶体管的MMIC
容纳在一个低成本表面安装塑料封装中。一
达林顿配置用于宽带性能
从DC - 3.5 GHz的。
在SLN -286只需要2隔直流电容器和一个
偏置电阻器进行操作。噪声系数可以通过优化
使用2-元素匹配的输入，以产生<2.0分贝噪声
图。
这50欧姆低噪声放大器只需要一个电源电压和
仅消耗5毫安。对于宽带应用，它可以是
偏置在4毫安与噪声系数和增益的影响最小。
在SLN - 286在磁带和卷轴可在1000， 3000和
每卷5000设备。
SLN-286
DC - 3.5 GHz的， 3Volt
50欧姆的低噪声放大器MMIC放大器
噪声系数与频率的关系
2.5
4毫安
2
产品特点
•
专利技术，可靠的GaAs HBT技术
•
低噪声系数： 1.7分贝从0.1到1.5 GHz的
•
关联度高增益：27 dB典型值。在2.0 GHz的
•
真正的50欧姆MMIC ：无需外部匹配
需要
•
低电流消耗：仅有5毫安3V
低噪声MMIC产品
dB
1.5
5毫安
•
低成本表面贴装塑料封装
1
0.1
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
GHz的
应用
•
AMPS ， PCS ， DECT ，手机
•
三频&宽带接收器
在大电气规格= 25℃
S YM BOL
P一R A M E TE R 5 ：率T e S T C 0 N D我TIO N s个
加利其
M IN 。
TY页。
M AX 。
NF
50 OHM
S
21
VSW ř
NF
50 OHM
S
21
VSW ř
N}÷为e ˚F IG ü ř E在5 0 O小时分钟S：
V·D S = 3 0.0 V，编号S = 5m的
5 0 O小时分钟G A在
:
V·D S = 3 0.0 V，编号S = 5m的
5 0 O小时分钟M A T C H（在P U被T A N D O u那样TP ü T）
:
V·D S = 3 0.0 V，编号S = 5m的
N}÷为e ˚F IG ü ř E在5 0 O小时分钟S：
V·D S = 2.8 V，编号S = 4μm的
5 0 O小时分钟G A在
:
V·D S = 2.8 V，编号S = 4μm的
5 0 O小时分钟M A T C H（在P U被T A N D O u那样TP ü T）
:
V·D S = 2.8 V，编号S = 4μm的
Ø本安输出P owerat 1天BC ompress IO ñ
:
F = D C -3 0.5摹ħ ž
牛逼ħ IR D 2 O R D所è R I ñ T E R C ê P吨P 2 O在T
:
F = D C -3 0.5摹ħ ž
F = D C -1 0.5摹ħ ž
F = 1 。 5 - 3 0.5摹ħ ž
F = D C -1 0.5摹ħ ž
F = 1 。 5 - 3 0.5摹ħ ž
F = D C -1 0.5摹ħ ž
F = 1 。 5 - 3 0.5摹ħ ž
F = D C -1 0.5摹ħ ž
F = 1 。 5 - 3 0.5摹ħ ž
F = D C -1 0.5摹ħ ž
F = 1 。 5 - 3 0.5摹ħ ž
F = D C -1 0.5摹ħ ž
F = 1 。 5 - 3 0.5摹ħ ž
V D = 3 0.0 V ，ID = 5m的
V D = 2.8 V， ID = 4微米的
V D = 3 0.0 V ，ID = 5m的
V D = 2.8 V， ID = 4微米的
dB
dB
dB
22
1 .7
2 .2
25
23
1 .8 :1
2 .5 :1
1 .9
2 .4
19
22
20
1 .4 :1
2 .0 :1
-1 2
-1 4
+3
+1
2 .1
-
dB
dB
dB
2 .3
-
DBM
DBM
DBM
P
1dB
IP
3
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福
微器件产品在生命支持设备和/或系统。
版权所有1999年斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94086
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.stanfordmicro.com
4-21
STANFORD [ STANFORD MICRODEVICES ]
