产品说明
斯坦福Microdevices的SNA - 500是GaAs单片
裸片形式的宽带放大器。此放大器提供
当在70毫安和5.0V偏置19dB增益。的P1dB和
TOIP可以通过2分贝得到改进baising @ 100mA电流。
外接DC去耦电容确定低频
昆西回应。使用外部电阻器的允许
偏置灵活性和稳定性。
这些无条件稳定放大器是专为
使用一般通用的50欧姆增益模块。还
在打包的形式提供（ SNA - 576 ， -586 & -587 ） ，其
小尺寸（0.4mm间距X 0.4mm间距）和镀金使其成为
在混合电路中使用的理想选择。
在SNA -500可在凝胶帕克什每100个设备
容器。
SNA-500
DC - 3 GHz的，可级联
砷化镓MMIC放大器
输出功率与频率的关系
22
20
18
dB
16
14
12
0.1
1
2
3
4
5
产品特点
•
可级联50欧姆增益模块
•
19分贝增益， + 18dBm的P1dB的
•
1.5 ：1的输入和输出VSWR
•
工作在单电源
•
芯片背面进行研磨
应用
•
窄宽带线性放大器
•
商业和工业应用
50欧姆增益模块
GHz的
在大电气规格= 25℃
SYM BOL
P一R A M E T E R 5 ：率T e S T C 0 N D ITIO N s个：
ID = 7 0米A，Z
0
= 5 0 O ^ h米每秒
S M一出来： IG N A升P Ø宽E R G一中
F = 0 .1 -1 0.0摹ħ ž
F = 1.0 -2 0.0摹ħ ž
F = 2 0.0 -3 0.0摹ħ ž
F = 0 .1 -2 0.0摹ħ ž
加利其
dB
dB
dB
dB
摹ħ ž
F = 2 0.0摹ħ ž
F = 2 0.0摹ħ ž
F = 0 .1 -8 0.0摹ħ ž
F = 2 0.0摹ħ ž
F = 2 0.0摹ħ ž
F = 0 .1 -8 0.0摹ħ ž
DBM
皮秒
dB
V
D B / D E克碳
M·V / D E克碳
4 .3
DBM
dB
M IN 。
1 8 .0
1 6 .0
1 5 .0
TY页。
2 0 .0
1 8 .0
1 7 .0
+ /- 1 .0
3 .0
1 8 .0
4 .2
1 .5 :1
3 4 .0
120
2 2 .0
5 .0
-0 .0 0 2 7
-5 .0
5 .7
5 .0
M AX 。
G
P
G
F
克F中拉TN ê S S小
三维B B A N D瓦特ID日
Ø ü TP UT P owerat 1天BC ompress IO ñ
N}÷为e ˚F IG ü ř Ë
在P ü吨/ O ü TP ü吨
在T牛逼ħ IR D 2 O R D所è R IN TE R C ê P吨P 2 O
摹R 0 ü P D E LA ÿ
ř Ë ; V。E R 5 ê是O LA TIO N
D E V IC è V Ø LTA克é
D E V IC E G
一个I N
率T e米P·Eラ吨ü ř式C产地证电子FF IC即N t个
ð EV IC è V Ø LT年龄牛逼emperatu重新ç OE FF IC即新台币
BW 3分贝
P
1dB
N·
VSW ř
IP
T
3
D
为O升
VD
ð G / D牛逼
D V / D牛逼
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福
微器件产品在生命支持设备和/或系统。
版权所有1999年斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94086
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.stanfordmicro.com
5-69
STANFORD [ STANFORD MICRODEVICES ]
