产品说明
斯坦福Microdevices的？ SSW- 224是一款性能比较
砷化镓场效应晶体管的MMIC开关
容纳在一个低成本的表面贴装8引脚陶瓷
封装。
这单刀双掷，反射开关消耗
小于50uA的和-5V和0V控制偏差操作。
它的高隔离度，低插入损耗使其非常适用于T / R
在模拟和数字无线通信的切换
系统。
该芯片采用0.5微米FET工艺与制造
镀金和氮化硅钝化实现
优异的性能和可靠性。
SSW-224
初步
初步
DC - 6 GHz高隔离
SPDT砷化镓MMIC开关
隔离与频率的关系
V
控制
= -5 V
-20
-30
-40
产品特点
高隔离度： 40分贝为2GHz ， 30分贝在6GHz的
低DC功耗
宽带性能 - 真正的直流操作
低成本表面贴装陶瓷封装
应用
模拟/数字无线系统
扩频
全球定位系统
dB
-50
-60
-70
DC
1
2
3
GHz的
4
5
6
在大电气规格= 25℃
SY mbol
插件
参数：试验C onditions ：咗= 50欧姆
Inserti上的损失
F = 0.05-2.0GHz
F = 2.00-4.0GHz
F = 4.05-6.0GHz
F = 0.05-2.0GHz
F = 2.00-4.0GHz
F = 4.00-6.0GHz
F = 0.05-2.0GHz
F = 2.00-4.0GHz
F = 4.00-6.0GHz
V = -5V
V = -8V
V = -5V
V = -8V
分贝米
分贝米
分贝米
分贝米
uA
纳秒
ü尼特
dB
dB
dB
dB
dB
dB
37
30
27
分钟。
TY页。
0.7
1.1
1.5
47
40
35
1.15
1.25
1.50
+26
+29
+45
+48
40
3
马克斯。
1.1
1.5
ISOL
Isolati上
在VSWR
输入&输出VSWR
（或低损耗状态）
输出1分贝Ç ompressi电力
F = 0.5-6.0GHz
氏三阶截POI NT
F = 0.5-6.0GHz
ð EVI CE光凭目前ç
SWI tchi吴速
50％的控制，以10％/ 90％的射频
P 1分贝
TOIP
Id
ISW
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福
微器件产品在生命支持设备和/或系统。
版权所有2000斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.stanfordmicro.com
EDS- 101423版本A
STANFORD [ STANFORD MICRODEVICES ]
