产品说明
斯坦福Microdevices的？ SSW- 524是一种高性能的
砷化镓场效应晶体管的MMIC开关装
在一种低成本的表面贴装8引脚陶瓷封装。
这单刀单掷，无反射开关的
超过50uA的消耗更少，工作频率为-5V和0V控制
偏见。 P1DB在-5V为+ 25dBm的典型和可提高到
+ 28dBm的与-8V电源。
该芯片采用0.5微米工艺FET黄金制造
金属和氮化硅钝化来实现
优异的性能和可靠性。
SSW-524
初步
初步
DC - 8 GHz的砷化镓MMIC
SPST开关
隔离与频率的关系
V
控制
= -5 V
-20
-30
产品特点
高隔离度： 40分贝为2GHz ， 30分贝在8GHz的
低DC功耗
低插入损耗： 0.9分贝在2GHz
无反射（ 50欧姆端接）时，
隔离
低成本表面贴装陶瓷封装
dB
-40
-50
-60
DC
1
2
3
4
5
6
7
8
应用
模拟/数字无线通信
AMPS ， PCS ， DEC和GSM
GHz的
在大电气规格= 25℃
SY mbol
插件
参数&试验C onditions ：
ZO = 50欧姆，V
控制
= -5V ， TA = 25
o
C
Inserti上的损失
F = 0.05〜2.0 GHz的
F = 2.0-6.0 GHz的
F = 6.0〜8.0 GHz的
F = 0.05〜2.0 GHz的
F = 2.0-6.0 GHz的
F = 6.0〜8.0 GHz的
F = 0.05〜2.0 GHz的
F = 2.0-6.0 GHz的
F = 6.0〜8.0 GHz的
F = 0.05〜2.0 GHz的
F = 2.0-6.0 GHz的
F = 6.0〜8.0 GHz的
V = -5V
V = -8V
V = -5V
V = -8V
分贝米
分贝米
分贝米
分贝米
uA
纳秒
ü尼特
dB
dB
dB
dB
dB
dB
35
25
分钟。
TY页。
0.9
1.5
1.8
45
35
30
1.3:1
1.5:1
1.7:1
1.3:1
1.5:1
1.7:1
+25
+28
+44
+47
40
10
马克斯。
1.3
1.9
ISOL
Isolati上
在VSWR
输入&输出VSWR
（或低损耗状态）
输入&输出VSWR
（关或我solated状态）
输出1分贝Ç ompressi电力
在2 GHz
氏三阶截POI NT
ð EVI CE光凭目前ç
SWI tchi吴速
10％至90 ％或90％至10％的
VSWR关闭
P 1分贝
TOIP
Id
ISW
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EDS - 101286修订版B
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