产品说明
斯坦福Microdevices的SSW - 308是一款性能比较
砷化镓场效应晶体管的MMIC开关装
在一种低成本的表面安装小外形塑料
封装。
这单刀双掷，反射开关消耗
小于40uA的和0V / -5V控制电压工作。
此开关可在模拟和数字无线使用
通信系统，包括AMPS， PCS ，DECT和
GSM 。
典型输出功率为1dB压缩点为+ 28dBm的。 1分贝
输出功率超过1瓦特可能具有更高的实现
控制电压。
该芯片采用0.5微米工艺FET黄金制造
金属和氮化硅钝化来实现
优异的性能和可靠性。
隔离与频率的关系
V
控制
= -5 V
-10
-20
SSW-308
DC- 3 GHz的低成本
砷化镓MMIC SPDT开关
产品特点
•
开关速度快： 3nsec
•
高线性度： + 47dBm IP3
•
超低的直流功耗
•
低插入损耗： 0.7分贝为1GHz
•
低成本小外形塑料封装
应用
•
数字蜂窝
•
扩频
dB
-30
-40
-50
D
C
1
2
3
GHz的
开关
在大电气规格= 25℃
SYM BOL
P一R A M E TE R 5 ：率T e S T C 0 N D ITIO N s个：
Z
0
= 5 0 O ^ h米每秒
加利其
M IN 。
TY页。
M AX 。
以s
在发E ř TIO N 1。· S S小
F = 0 0.0 5 - 1 0.0摹ħ ž
F = 1 0.0 0 - 2 0.0摹ħ ž
F = 1 0.0 0 - 3 0.0摹ħ ž
F = 0 0.0 5 - 1 0.0摹ħ ž
F = 1 0.0 0 - 2 0.0摹ħ ž
F = 1 0.0 0 - 3 0.0摹ħ ž
F = 0 0.0 5 - 1 0.0摹ħ ž
F = 1 0.0 0 - 2 0.0摹ħ ž
F = 1 0.0 0 - 3 0.0摹ħ ž
V = -8 V
V = -5 V
V = -8 V
V = -5 V
dB
dB
dB
dB
dB
dB
20
17
-
-
-
DBM
DBM
DBM
DBM
uA
纳秒
0 .6
0 .9
1 .2
25
22
16
1 .2 :1
1 .4 :1
1 .7 :1
+31
+28
+50
+47
35
3
0 .9
1 .3
为O升
为O LA TIO N
VSW R ON
在P ü吨& O u那样TP ü T·V·S W R
（ LO瓦特LO S S Sたて）
1 D B C 0 M·P ř Ë S S小IO N A T 0的0.5 - 2 0.0摹ħ ž
牛逼ħ IR D 2 O R D所è R IN TE R C ê P吨
D E V IC式C ü R R简吨
S W的克S- P E E D 5 0 ％C 0：N TR 0 1至ITC ^ h
1 0 ％/ 9 0％的R F
P
1dB
IP
3
I
D
为W
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福
微器件产品在生命支持设备和/或系统。
版权所有1999年斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94086
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.stanfordmicro.com
7-21
STANFORD [ STANFORD MICRODEVICES ]
