PNP晶体管
-1.5A
8550
功耗: 1.0W
集电极电流: -1.5A
集电极 - 基极电压: -45V
TO-92
最大额定值和电气特性(Ta = 25℃)
参数
符号最小典型最大单位
条件
集电极 - 发射极击穿电压BVceo下
V
Ic=-0.1mA
-25
集电极 - 基极击穿电压
BVCBO
-45
V
Ic=-100
u
A
发射极 - 基极击穿电压
BVEBO
V
-5
Ie=-100μA
集电极 - 基极漏
ICBO
-0.1
uA
Vcb=-40V
集电极 - 射极漏泄
ICEO
-0.1
uA
Vce=-20V
发射极 - 基泄漏
IEBO
-0.1
uA
Veb=-5V
集电极 - 发射极饱和电压Vce (坐
)
-0.6
V
IC = -1500mA , IB = -50mA
基Emiiter饱和电压
VBE ( SAT )
-1.2
V
IC = -1500mA , IB = -50mA
直流电流增益
Hfe1
85
Vce=-1V,Ic=-50mA
300
Hfe2
50
Vce=-1V,Ic=-500mA
集电极电流
Ic
-0.5
A
峰值集电极电流
ICP
-8 A (脉冲)
电流增益带宽
f
T
兆赫
VCB = -6V , IC = -20mA
150
输出电容
COB
32
pF
Vcb=-20V,Ie=0,f=1MHz
功耗
Pc
1.0
W
结温
Tj
150
℃
储存温度
TSTG
-55
150
℃
hFE1分类
秩
范围
B
85-160
C
120-200
D
160-300
STANSON科技
120宾利广场,加州山景城94040 USA
电话: ( 650 ) 9389294传真: ( 650 ) 9389295