M01N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	M01N60
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内容描述：	N沟道MOSFET [N Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 175 K
品牌：	STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]

N沟道MOSFET

1.0A

M01N60

引脚配置

TO-251

TO-252

特征

强大的高压Temination 。

较高的雪崩能量

源到漏二极管恢复时间

等同于离散快速恢复二极管

二极管的特点是桥的使用

Circurits

DSS

和V

（上）指定在高温

温度

1.Gate 2.Drain 3.Source

绝对最大额定值

等级

漏电流 - 连续

- 脉冲

栅极 - 源极电压 - 继续

- 非重复性

总功耗

TO-251/252

工作和存储温度范围

单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - TJ = 25

℃

=100V, V

= 10V ，我

= 2A ，L = 10MH ，R

= 25

Ω)

热阻 - 结到管壳

- 结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8 ''的形式10秒

符号价值

GSM

, T

英镑

-55到150

1.0

62.5

260

℃

℃/W

℃

1.0

5.0

+/-30

+/-40

单位

STANSON科技

120宾利广场，加州山景城94040 USA

电话：（ 650 ） 9389294

传真：（ 650 ） 9389295

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