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M04N60 参数 Datasheet PDF下载

M04N60图片预览
型号: M04N60
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内容描述: N沟道MOSFET [N Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 245 K
品牌: STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
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N沟道MOSFET
4.0A
M04N60
强大的高压端子
较高的雪崩能量
源极到漏极二极管恢复时间等同于
离散快恢复二极管
TO-220
最大额定值和电气特性(Ta = 25℃)
参数
连续漏电流
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
门源漏电流,正向
门源漏电流,反向
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
内部排水电感
内部排水电感
总功率Dispation
热阻 - 结到管壳
工作和存储温度
正向导通电压( 1)
向前开启时间
反向恢复时间
符号
I
D
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
L
D
L
S
P
D
4.5
7.5
74
1.7
-55
150
1.6
**
370
2.5
660
86
19
11
13
35
14
31
4.6
17
2.0
600
0.1
0.5
100
100
4.0
2.2
典型值
最大
3.6
单位
A
V
mA
nA
nA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nH
nH
W
V
DD
= 300 V,I
D
= 3.6 A,V
GS
= 10 V,
R
G
= 12Ω *
条件
V
GS
= 10 V , TA = 25 ℃
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
μA
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125℃
V
GSF
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GSR
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA
V
GS
= 10 V,I
D
= 2.2A *
V
DS
= 50 V,I
D
= 2.2A *
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V , F = 1.0 MHz的
V
DS
= 360 V,I
D
= 3.6 A,V
GS
= 10 V *
从漏测铅0.25“从包
的模具中心
测量从源头上导致0.25 “,从包
源焊盘
θ
JC
T
J,
T
英镑
V
SD
t
on
t
rr
℃/W
V
ns
ns
I
S
= 3.6 A,V
GS
= 0 V ,D
IS
/d
t
= 100A / μs的
源极 - 漏极二极管的特性
*脉冲测试:脉冲宽度
≦300µs,
占空比
≦2%
**忽略不计,占主导地位的电路中电感
STANSON科技
120宾利广场,加州山景城94040 USA
电话: ( 650 ) 9389294传真: ( 650 ) 9389295