ST2300SRG
N沟道增强型MOSFET
6.0A
描述
该ST2300SRG是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
生产采用高密度， DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适合于减小导通状态resistance.These设备
特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本
电脑的电源管理和其他面糊供电电路和低线的功率损耗
都需要在一个非常小外形表面安装封装。
引脚配置
SOT-23
特征
20V / 6.0A ，R
DS （ ON）
= 35米（典型值）。
@V
GS
= 10V
20V / 5.0A ，R
DS （ ON）
= 48m
@V
GS
= 4.5V
20V / 4.5A ，R
DS （ ON）
= 90m
@V
GS
= 2.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS （ ON）
出色的导通电阻和
最大直流电流能力
SOT- 23封装设计
3.Drain
3
D
G
1
1.Gate
2.Source
S
2
最热
SOT-23
3
42YA
1
Y：年份代码
2
答：处理代码
订购信息
产品型号
ST2300SRG
包
SOT-23
最热
42YA
※
过程代码： A〜Z ; A〜Z
※
ST2300SRG ; S： SOT23 R：带卷轴; G：铅 - 免费
1
ST2300SRG 2005 V1
86-755-83468588 86-755-83755599
STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
