ST2305 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ST2305
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内容描述：	P沟道阳城模式MOSFET [P Channel Enchancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 97 K
品牌：	STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]

P沟道阳城模式MOSFET

-3.5A

描述

ST2305

该ST2305是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管

生产采用高密度， DMOS沟道技术。

这种高密度的工艺特别适合于减小导通电阻。

这些装置特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和

笔记本电脑的电源管理和其他面糊供电的电路，以及低线

需要在一个非常小的outine表面功率损耗贴装封装。

引脚配置

SOT-23-3L

特征

10V / -3.5A ，R

DS （ ON）

= 50M-欧姆

1.Gate

2.Source

3.Drain

@VGS = -4.5V

-10V / -3.0A ，R

DS （ ON）

= 70米欧姆

@VGS = -2.5V

-10V / -2.0A ，R

DS （ ON）

= 105米欧姆

@VGS=-1.8V

超高密度电池设计

非常低R

DS （ ON）

呈导通电阻和最大

DC电流能力

SOT- 23-3L封装设计

S05YA

答：处理代码

S：分包商Y：年份代码

STANSON科技

120宾利广场，加州山景城94040 USA

电话：（ 650 ） 9389294传真：（ 650 ） 9389295

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