N沟道增强型MOSFET
ST2300
4A
描述
该ST2300是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
生产采用高密度, DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适合于减小导通状态resistance.These设备
特别适用于低电压应用,如蜂窝电话和笔记本
电脑的电源管理和其他面糊供电电路和低线的功率损耗
都需要在一个非常小外形表面安装封装。
引脚配置
SOT-23-3L
特征
20V / 6.0A ,R
DS ( ON)
= 22MΩ (典型值)。
@V
GS
= 10V
20V / 5.0A ,R
DS ( ON)
= 26mΩ
@V
GS
= 4.5V
20V / 4.5A ,R
DS ( ON)
= 29mΩ
@V
GS
= 2.5V
20V / 4.0A ,R
DS ( ON)
= 35mΩ
@V
GS
= 1.8V
超高密度电池设计
非常低R
DS ( ON)
出色的导通电阻和
最大直流电流能力
SOT- 23-3L封装设计
3
D
G
1
1.Gate
2.Source
S
2
3.Drain
最热
SOT-23-3L
3
42YA
1
Y:年份代码
2
答:处理代码
订购信息
产品型号
ST2300S23RG
包
SOT-23-3L
最热
42YA
※
过程代码: A〜Z ; A〜Z
※
ST2300S23RG ; S23 : SOT23-3L R:带卷轴; G:铅 - 免费
1
120宾利广场,加州山景城94040 USA
www.stansontech.com
ST2300 2005 V1