P沟道增强型MOSFET
ST2305A
-3.5A
描述
ST2305A是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,其
采用高密度, DMOS沟槽技术生产。这种高密度
过程特别是针对减少通态电阻。这些设备是
特别适用于低电压应用,如蜂窝电话和笔记本
计算机的电源管理,其它电池供电的电路,并且低线的功率
需要损失。该产品是在一个非常小的轮廓表面贴装封装。
引脚配置
SOT-23-3L
特征
-15V / -3.5A ,R
DS ( ON)
= 45米欧姆(典型值)。
@VGS = -4.5V
-15V / -3.0A ,R
DS ( ON)
= 55米欧姆
@VGS = -2.5V
-15V / -2.0A , RDS ( ON ) = 90米欧
@VGS=-1.8V
超高密度电池设计
非常低R
DS ( ON)
呈导通电阻和最大
DC电流能力
SOT- 23-3L封装设计
3
D
G
1
1.Gate
2.Source
S
2
3.Drain
最热
SOT-23-3L
3
05YA
1
Y:年份代码
2
答:处理代码
订购信息
产品型号
ST2305AS23RG
包
SOT-23-3L
最热
05YA
※
过程代码: A〜Z ; A〜Z
※
ST2305AS23RG
S: SOT- 23-3L ; R:带卷轴; G:铅 - 免费
STANSON科技
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ST2305A 2005 V1