ST2302MSRG 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ST2302MSRG
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 165 K
品牌：	STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]

N沟道增强型MOSFET

ST2302M

3.6A

描述

该ST2302M是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管

采用高密度， DMOS沟槽技术生产。

这种高密度的工艺特别适合于减小导通电阻。

这些装置特别适用于低电压应用，如蜂窝电话

和笔记本电脑的电源管理和其他面糊供电的电路，并且

需要在一个非常小的outine表面低线的功率损耗贴装封装。

引脚配置

SOT-23

特征

20V / 3.6A ，R

DS （ ON）

= 90米欧姆（典型值）。

@VGS = 4.5V

20V / 3.1A ，R

DS （ ON）

= 130米欧姆

@VGS = 2.5V

超高密度电池设计

非常低R

DS （ ON）

呈导通电阻和最大

DC电流能力

SOT- 23封装设计

3.Drain

1.Gate

2.Source

最热

SOT-23

S02YA

Y：年份代码

答：处理代码

订购信息

产品型号

ST2302MSRG

包

SOT-23

最热

S02YA

※

过程代码： A〜Z ; A〜Z

※

ST2302MSRG

S： SOT -23 ; R：带卷轴; G：铅 - 免费

120宾利广场，加州山景城94040 USA

www.stansontech.com

ST2302M 2007 V1

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