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    ST2319SRG 参数 Datasheet PDF下载

    ST2319SRG图片预览
    型号： ST2319SRG
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    内容描述： ST2319SRG是采用高密度， DMOS沟槽技术生产的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 [ST2319SRG is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench technology.]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 229 K
    品牌： STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
     浏览型号ST2319SRG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ST2319SRG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ST2319SRG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ST2319SRG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ST2319SRG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ST2319SRG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号ST2319SRG的Datasheet PDF文件第8页  
    ST2319SRG
    P沟道增强型MOSFET
    -3.5A
    描述
    ST2319SRG是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
    生产采用高密度， DMOS沟道技术。这种高密度的工艺
    特别是针对减少通态电阻。这些器件特别
    适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本电脑
    功率管理和其它电池供电的电路，其中的高侧开关和
    低线的功率损耗，需要在一个非常小的轮廓表面贴装封装。
    引脚配置
    SOT-23
    特征
    -40V / -3.5A ，R
    DS （ ON）
    = 75米（典型值）。
    @VGS = -10V
    -40V / -2.8A ，R
    DS （ ON）
    = 105m
    @VGS = -4.5V
    超高密度电池设计
    非常低R
    DS （ ON）
    呈导通电阻和最大
    DC电流能力
    SOT- 23封装设计
    3.Drain
    3
    D
    G
    1
    1.Gate
    2.Source
    S
    2
    最热
    SOT-23
    3
    19YW
    1
    Y：年份代码
    2
    W：星期代码
    STANSON科技
    120宾利广场，加州山景城94040 USA
    www.stansontech.com
    ST2319SRG 2009年Rev.1号

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