P沟道增强型MOSFET
ST2341
-3.5A
描述
ST2341是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，其
采用高密度， DMOS沟槽技术生产。这种高密度
过程特别是针对减少通态电阻。这些设备是
特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本
计算机的电源管理，其它电池供电的电路，并且低线的功率
需要损失。该产品是在一个非常小的轮廓表面贴装封装。
引脚配置
SOT-23-3L
特征
-20V / -3.3A ，R
DS （ ON）
= 36米欧姆（典型值）。
@VGS = -10V
-20V / -2.8A ，R
DS （ ON）
= 45米欧姆
@VGS = -4.5V
-20V / -2.3A ，R
DS （ ON）
= 55米欧姆
@VGS = -1.8V
超高密度电池设计
非常低R
DS （ ON）
呈导通电阻和最大
DC电流能力
SOT- 23-3L封装设计
3
D
G
1
1.Gate
2.Source
S
2
3.Drain
最热
SOT-23-3L
3
41YA
1
Y：年份代码
2
答：处理代码
订购信息
产品型号
ST2341S23RG
包
SOT-23-3L
最热
41YA
※
过程代码： A〜Z ; A〜Z
※
ST2341S23RG S23 ： SOT- 23-3L ; R：带卷轴; G：铅 - 免费
STANSON科技
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ST2341 2006 Rev.1号
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