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    ST3400SRG 参数 Datasheet PDF下载

    ST3400SRG图片预览
    型号： ST3400SRG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 该ST3400SRG是采用高密度， DMOS沟槽技术生产的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 [The ST3400SRG is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench technology.]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 547 K
    品牌： STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
     浏览型号ST3400SRG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ST3400SRG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ST3400SRG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ST3400SRG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ST3400SRG的Datasheet PDF文件第6页  
    ST3400SRG
    N沟道增强型MOSFET
    5.8A
    描述
    该ST3400SRG是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
    采用高密度， DMOS沟槽技术生产。
    这种高密度的工艺特别适合于减小导通电阻。这些
    器件特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和
    笔记本电脑的电源管理和其它电池供电的电路，其中高
    侧开关
    .
    引脚配置
    SOT-23
    3
    D
    G
    1
    1.Gate
    2.Source
    S
    2
    3.Drain
    特征
    30V / 5.8A ，R
    DS （ ON）
    = 25米（典型值）。
    @V
    GS
    = 10V
    30V / 4.8A ，R
    DS （ ON）
    = 30m
    @V
    GS
    = 4.5V
    30V / 4.0A ，R
    DS （ ON）
    = 40m
    @V
    GS
    = 2.5V
    超高密度电池设计
    非常低R
    DS （ ON）
    呈导通电阻和最大
    DC电流能力
    SOT- 23封装设计
    最热
    SOT-23
    3
    A0YA
    1
    Y：年份代码
    2
    答：周码
    1
    120宾利广场，加州山景城94040 USA
    http://www.stnasontech.com
    STN3400SRG 2009 V1

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