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    ST3406SRG 参数 Datasheet PDF下载

    ST3406SRG图片预览
    型号： ST3406SRG
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    内容描述： ST3406SRG是采用高密度， DMOS沟槽技术生产的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 [ST3406SRG is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 325 K
    品牌： STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
     浏览型号ST3406SRG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ST3406SRG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ST3406SRG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ST3406SRG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ST3406SRG的Datasheet PDF文件第6页  
    ST3406SRG
    N沟道增强型MOSFET
    5.4A
    描述
    ST3406SRG是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
    这是使用高密度生产， DMOS沟道技术。这种高密度
    过程特别是针对减少通态电阻。这些设备是
    特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本
    计算机的电源管理，其它电池供电的电路，并且低线的功率
    需要损失。该产品是在一个非常小的轮廓表面贴装封装。
    引脚配置
    SOT-23
    特征
    30V / 5.4A ，R
    DS （ ON）
    = 26米（典型值）。
    @V
    GS
    = 10V
    30V / 4.6A ，R
    DS （ ON）
    = 38m
    @V
    GS
    = 4.5V
    超高密度电池设计
    非常低R
    DS （ ON）
    呈导通电阻和最大
    DC电流能力
    SOT- 23封装设计
    3
    D
    G
    1
    1.Gate
    2.Source
    S
    2
    3.Drain
    最热
    SOT-23
    3
    A6YA
    1
    Y：年份代码
    2
    答：周码
    STANSON科技
    120宾利广场，加州山景城94040 USA
    http://www.stansontech.com
    ST3406SRG 2006 V1

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