ST3400S23RG 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ST3400S23RG
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 351 K
品牌：	STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]

N沟道增强型MOSFET

ST3400

5.8A

描述

该ST3400是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管

生产采用高密度， DMOS沟道技术。

这种高密度的工艺特别适合于减小导通电阻。这些

器件特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和

笔记本电脑的电源管理和其它电池供电的电路，其中高

侧开关

引脚配置

SOT-23-3L

1.Gate

2.Source

3.Drain

特征

30V / 5.8A ，R

DS （ ON）

= 28mΩ （典型值）。

= 10V

30V / 4.8A ，R

DS （ ON）

= 33mΩ

= 4.5V

30V / 4.0A ，R

DS （ ON）

= 40mΩ

= 2.5V

超高密度电池设计

非常低R

DS （ ON）

呈导通电阻和最大

DC电流能力

SOT- 23-3L封装设计

最热

SOT-23-3L

A0YA

Y：年份代码

答：周码

订购信息

产品型号

ST3400S23RG

包

SOT-23-3L

最热

A0YA

※

本周代码代码： A〜Z （ 1 〜 26 ） ; A〜Z （ 27 〜 52 ）

※

ST3400S23RG

S23 ： SOT- 23-3L ; R：带卷轴; G：铅 - 免费

120宾利广场，加州山景城94040 USA

http://www.stnasontech.com

STN3400 2006 V1

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