P沟道增强型MOSFET
ST3401
-4.0A
描述
ST3401是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，其
采用高密度DMOS沟槽技术生产。这种高密度的工艺
特别是针对减少通态电阻。这些器件特别
适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本电脑
电源管理，其它电池供电的电路，以及低线的功率损耗是
所需。该产品是在一个非常小的轮廓表面贴装封装。
引脚配置
SOT-23-3L
特征
-30V/-4.0A,
R
DS （ ON）
= 45mΩ （典型值）。
@V
GS
= -10V
-30V / -3.2A ，R
DS （ ON）
= 50mΩ
@V
GS
= -4.5V
-30V / -1.2A ，R
DS （ ON）
= 60mΩ
@V
GS
= -2.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS （ ON）
出色的导通电阻和
最大直流电流能力
SOT- 23-3L封装设计
3
D
G
1
1.Gate
2.Source
S
2
3.Drain
最热
SOT-23-3L
3
A1YA
1
Y：年份代码
2
答：处理代码
订购信息
产品型号
ST3401S23RG
包
SOT-23-3L
最热
A1YA
※
过程代码： A〜Z ; A〜Z
※
ST3401S23RG
S23 ： SOT- 23-3L ; R：带卷轴; G：铅 - 免费
STANSON科技
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STP3401 2005 V1
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