ST3407 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ST3407
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	P沟道增强型MOSFET [P Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 290 K
品牌：	STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]

ST3407

P沟道增强型MOSFET

-3.6A

描述

ST3407是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，其

采用高密度， DMOS沟槽技术生产。这种高密度

过程特别是针对减少通态电阻。这些设备是

特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本

计算机的电源管理，其它电池供电的电路，并且低线的功率

需要损失。该产品是在一个非常小的轮廓表面贴装封装。

引脚配置

SOT-23-3L

特征

�½

-30V / -4.0A ，R

DS （ ON）

= 60mΩ

= -10V

-30V / -3.2A ，R

DS （ ON）

= 80mΩ

= -4.5V

超高密度电池设计

非常低R

DS （ ON）

出色的导通电阻和

最大直流电流能力

SOT- 23-3L封装设计

1.Gate

2.Source

3.Drain

最热

SOT-23-3L

A7YA

Y：年份代码

答：处理代码

订购信息

产品型号

ST3407S23RG

包

SOT-23-3L

最热

A7YA

※

过程代码： A〜Z ; A〜Z

※

ST3407S23RG

第23条： SOT- 23-3L ; R：带卷轴; G：铅 - 免费

STANSON科技

120宾利广场，加州山景城94040 USA

www.stansontech.com

ST3407 2006 V1

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案