ST3413 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ST3413
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内容描述：	P沟道增强型MOSFET [P Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 139 K
品牌：	STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]

P沟道增强型MOSFET

-3.4A

描述

ST3413

该ST3413是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管

生产采用高密度， DMOS沟道技术。

这种高密度的工艺特别适合于减小导通电阻。

这些装置特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和

笔记本电脑的电源管理和其他面糊供电电路中的高边

切换和低线的功率损耗，需要在一个非常小的轮廓表面安装

封装。

引脚配置

SOT-23-3L

特征

20V / -3.4A ，R

DS （ ON）

= 95米欧姆

1.Gate

2.Source

3.Drain

@VGS = -4.5V

-20V / -2.4A ，R

DS （ ON）

= 120米欧姆

@VGS = -2.5V

-20V/-1.7A,

DS （ ON）

= 145米欧姆

@VGS = -1.8V

超高密度电池设计

非常低R

DS （ ON）

出色的导通电阻和

最大直流电流能力

SOT- 23-3L封装设计

13YA

答：处理代码

1A ：最热Y：年份代码

STANSON科技

120宾利广场，加州山景城94040 USA

电话：（ 650 ） 9389294传真：（ 650 ） 9389295

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