N沟道阳城模式MOSFET
60V/60A
描述
ST6006S / ST6006
该ST6006是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
生产采用高密度, DMOS沟道技术。
这ST6006是densigned承受高能量雪崩和减刑模式。
专为低电压,电源供应器高速开关应用中,转换器
和功率的电机控制,这些设备特别适合井为电桥电路,其中
二极管的速度和换向安全工作区域是至关重要的,并提供额外的safetv
保证金对意外的电压瞬变。
引脚配置
TO-220-3L
ST6006
TO-263-2L
ST6006S
应用
电源
转换器
电源电机控制
电桥电路
特征
20V / 2.8A ,R
DS ( ON)
= 85米欧姆
@VGS = 4.5V
20V / 2.4A ,R
DS ( ON)
= 115米欧姆
@VGS = 2.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS ( ON)
出色的导通电阻和
最大
DC电流能力
SOT- 23-3L封装设计
STANSON科技
120宾利广场,加州山景城94040 USA
电话: ( 650 ) 9389294传真: ( 650 ) 9389295
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