欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

ST6006 参数 Datasheet PDF下载

ST6006图片预览
型号: ST6006
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道阳城模式MOSFET [N Channel Enchancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 201 K
品牌: STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
 浏览型号ST6006的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ST6006的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ST6006的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ST6006的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ST6006的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ST6006的Datasheet PDF文件第7页浏览型号ST6006的Datasheet PDF文件第8页  
N沟道阳城模式MOSFET
60V/60A
描述
ST6006S / ST6006
该ST6006是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
生产采用高密度, DMOS沟道技术。
这ST6006是densigned承受高能量雪崩和减刑模式。
专为低电压,电源供应器高速开关应用中,转换器
和功率的电机控制,这些设备特别适合井为电桥电路,其中
二极管的速度和换向安全工作区域是至关重要的,并提供额外的safetv
保证金对意外的电压瞬变。
引脚配置
TO-220-3L
ST6006
TO-263-2L
ST6006S
应用
电源
转换器
电源电机控制
电桥电路
特征
20V / 2.8A ,R
DS ( ON)
= 85米欧姆
@VGS = 4.5V
20V / 2.4A ,R
DS ( ON)
= 115米欧姆
@VGS = 2.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS ( ON)
出色的导通电阻和
最大
DC电流能力
SOT- 23-3L封装设计
STANSON科技
120宾利广场,加州山景城94040 USA
电话: ( 650 ) 9389294传真: ( 650 ) 9389295
第1页