P沟道增强型MOSFET
ST7407
-3.4A
描述
该ST7407是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管它
采用高密度， DMOS沟槽技术生产。这种高密度
过程特别是针对减少通态电阻。
这些装置特别适用于低电压应用，如蜂窝电话，
笔记本电脑的电源管理和其它电池供电的电路，其中
高侧开关和低线的功率损耗，需要在一个非常小的轮廓
表面贴装封装。
引脚配置
SOT- 323 （ SC- 70 ）
特征
-20V / -3.4A ，R
DS （ ON）
=百米欧姆
@VGS = -4.5V
-20V / -2.4A ，R
DS （ ON）
= 125米欧姆
@VGS = -2.5V
-20V / -1.8A ，R
DS （ ON）
= 170米欧姆
@VGS = -1.8V
超高密度电池设计
非常低R
DS （ ON）
呈导通电阻和最大
DC电流能力
SOT- 323 （ SC - 70 ）封装设计
3
D
G
1
1.Gate
2.Source
S
2
3.Drain
最热
SOT- 323 （ SC- 70 ）
3
07YA
1
Y：年份代码
2
答：处理代码
订购信息
产品型号
ST7407S32RG
包
SOT-323
最热
07YA
※
过程代码： A〜Z ; A〜Z
※
ST7407S32RG
S32 ： SOT- 323 ; R：带卷轴; G：铅 - 免费
1
120宾利广场，加州山景城94040 USA
www.stansontech.com
ST7407 2006 V1
STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
