互补的双增强模式MOSFET
STC4516
8.5A的N沟道/ -7.2A为P CHANNL
描述
STC4516是使用互补增强型功率场效应晶体管
高密度， DMOS沟道技术。这种高密度工艺特别
针对减少通态电阻。
引脚配置
SOP-8
顶视图
特征
P沟道
-30V / -7.2A ，R
DS （ ON）
= 22米欧姆（典型值）。
@V
GS
=-10V
-30V / -5.6A ，R
DS （ ON）
= 40米欧姆
@V
GS
=-4.5V
N沟道
30V / 8.5A ，R
DS （ ON）
= 10M-欧姆
@V
GS
=10V
30V / 7.8A ，R
DS （ ON）
= 16米欧姆
@V
GS
=4.5V
超高密度电池设计极
低R
DS （ ON）
SOP- 8封装设计
8
D1
7
D1
6
D2
5
D2
STC5416
YA
1
S1
2
G1
3
S2
4
G2
N沟道MOSFET
P沟道MOSFET
Y：年份代码
答：处理代码
订购信息
产品型号
STC4516S8RG
STC4516S8TG
包
SOP-8
SOP-8
最热
STC4516
STC4516
※
过程代码： A〜Z ; A〜Z
※
STC4516S8RG S8 ： SOP- 8 ; R：带卷轴; G：铅 - 免费
※
STC4516S8TG S8 ： SOP- 8 ; T：管; G：铅 - 免费
STANSON科技
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STC4516 2008 V1
STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
