STM5853QF8RG 参数 Datasheet PDF下载

型号：	STM5853QF8RG
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内容描述：	P沟道型MOSFET与肖特基 [P Channel Mode MOSFET with Schottky]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 240 K
品牌：	STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]

P沟道型MOSFET与肖特基

STM5853

-3.6A

描述

STM5853是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管

肖特基二极管。该MOSFET采用高密度生产， DMOS沟

技术。这种高密度的工艺特别适合于减小导通状态

性。这种装置特别适合于充电开关，用于蜂窝电话和

其它电池供电的电路

引脚配置

DFN8

特征

-20V / -3.4A ，R

DS （ ON）

= 77米欧姆（典型值）。

@VGS = -4.5V

-20V / -2.4A ，R

DS （ ON）

= 98米欧姆

@VGS = -2.5V

-20V / -1.7A ，R

DS （ ON）

= 135米欧姆

@VGS = -1.8V

20V / 1.0A ， VF = 0.46V @ 0.5A

超高密度电池设计

非常低R

DS （ ON）

记者：最热

X：年份代码

答：处理代码

订购信息

产品型号

STM5853QF8RG

包

DFN8

最热

SYA

※

本周代码代码： A〜Z （ 1 〜 26 ） ; A〜Z （ 27 〜 52 ）

※

STM5853QF8RG

QF8 ： QFN8 ; R：带卷轴; G：铅 - 免费

STANSON科技

120宾利广场，加州山景城94040 USA

http://www.stansontech.com

STM5853 2008 V1

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