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    STN1810 参数 Datasheet PDF下载

    STN1810图片预览
    型号： STN1810
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    内容描述： STN1810是采用高密度， DMOS沟槽技术生产的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 [STN1810 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 966 K
    品牌： STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
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    STN1810
    N沟道增强型MOSFET
    8.0A
    描述
    STN1810是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，其
    采用高密度， DMOS沟槽技术生产。这种高密度
    工艺特别适合于减小导通电阻，并提供卓越的
    开关性能。这些应用程序如笔记本电脑的电源
    管理和其它电池供电的电路，其中的高侧开关，低IN-
    线路功率损耗和抗瞬变融合在一起。
    引脚配置
    SOP-8
    特征
    60V / 8.0A ，R
    DS （ ON）
    = 140米（典型值）。
    @V
    GS
    = 10V
    60V / 6.5.0A ，R
    DS （ ON）
    = 150m
    @V
    GS
    = 7.0V
    超高密度电池设计
    非常低R
    DS （ ON）
    呈导通电阻和最大
    DC电流能力
    SOP- 8封装设计
    最热
    Y：年份代码A ：过程代码
    STANSON科技
    120宾利广场，加州山景城94040 USA
    www.stansontech.com
    ©2007 ， Stanson公司
    STN1810 2009 V1

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