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    STN4392 参数 Datasheet PDF下载

    STN4392图片预览
    型号： STN4392
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： STN4392是采用高密度， DMOS沟槽技术生产的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 [STN4392 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 383 K
    品牌： STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
     浏览型号STN4392的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STN4392的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STN4392的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STN4392的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STN4392的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STN4392的Datasheet PDF文件第7页  
    STN4392
    STN439
    392
    N沟道增强型MOSFET
    13A
    描述
    STN4392是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
    这是使用高密度生产， DMOS沟道技术。这种高密度
    过程特别是针对减少通态电阻。这些设备是
    特别适用于低电压应用，例如电源管理和其它
    电池供电的电路，其中的高侧开关。
    引脚配置
    SOP-8
    特征
    ½
    ½
    ½
    ½
    ½
    30V / 13A ，R
    DS （ ON）
    = 8mΩ （典型值）。
    @V
    GS
    = 10V
    30V / 10A ，R
    DS （ ON）
    = 12mΩ
    @V
    GS
    = 4.5V
    超高密度电池设计
    非常低R
    DS （ ON）
    出色的导通电阻和
    最大直流电流能力
    SOP- 8封装设计
    最热
    SOP-8
    STN4392
    YA
    YEAR
    Y
    = YEAR
    CODE
    过程
    A
    ○过程
    CODE
    STANSON科技
    120宾利广场，加州山景城94040 USA
    www.stansontech.com
    ©2007 ， Stanson公司
    STN4392 2009 V1

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