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STN4426 参数 Datasheet PDF下载

STN4426图片预览
型号: STN4426
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内容描述: STN4426是采用高密度, DMOS沟槽技术生产的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 [STN4426 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 362 K
品牌: STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
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STN4426
STN442
N沟道增强型MOSFET
8.0A
描述
STN4426是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
这是使用高密度生产, DMOS沟道技术。这种高密度
过程特别是针对减少通态电阻。这些设备是
特别适合用于低电压应用中,笔记本计算机的电源管理
和其它电池供电的电路,其中的高侧开关。
引脚配置
SOP-8
特征
½
½
½
½
½
½
最热
SOP-8
20V / 8.0A ,R
DS ( ON)
= 28mΩ (典型值)。
@V
GS
= 4.5V
20V / 7.0A ,R
DS ( ON)
= 36mΩ
@V
GS
= 2.5V
20V / 3.0A ,R
DS ( ON)
= 42mΩ
@V
GS
= 1.8V
超高密度电池设计
非常低R
DS ( ON)
出色的导通电阻和
最大直流电流能力
SOP- 8封装设计
STN4426
SYA
S:分包商Y:年份代码
答:处理代码
STANSON科技
120宾利广场,加州山景城94040 USA
www.stansontech.com
©2007 , Stanson公司
STN4426 2009 V1