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STN4488L 参数 Datasheet PDF下载

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型号: STN4488L
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内容描述: STN4488L是其中使用的是高细胞密度的DMOS沟道技术制备的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 [STN4488L is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors which are produced using high cell density DMOS trench technology.]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 644 K
品牌: STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
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STN4488L
N沟道增强型MOSFET
20.0A
描述
STN4488L是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
它使用的是高密度的DMOS沟道技术生产。它适合于
功率管理应用程序的便携式或电池供电的系统中。
引脚配置
SOP-8
特征
30V / 20A ,R
DS ( ON)
= 3.8米(典型值)。
@VGS = 10V
30V / 18A ,R
DS ( ON)
= 5.2m
@VGS = 4.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS ( ON)
呈导通电阻和最大
DC电流能力
SOP- 8封装设计
最热
SOP-8
Y:年份代码
答:周码
M:处理代码
STANSON科技
120宾利广场,加州山景城94040 USA
www.stansontech.com
©2007 , Stanson公司
STN4488L 2009 V1