N沟道增强型MOSFET
STN4412
6.8A
描述
STN4412是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
这是使用高密度生产, DMOS沟道技术。这种高密度
过程特别是针对减少通态电阻。这些设备是
特别适用于低电压应用,例如电源管理和其它
电池供电的电路,其中的高侧开关。
特征
30V / 6.8A ,R
DS ( ON)
= 28mΩ
@V
GS
= 10V
30V / 5.6A ,R
DS ( ON)
= 36mΩ
@V
GS
= 4.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS ( ON)
出色的导通电阻和
最大直流电流能力
SOP- 8封装设计
引脚配置
SOP-8
最热
SOP-8
STN4412
SYA
订购信息
产品型号
STN4412S8RG
STN4412S8TG
包
SOP-8P
SOP-8P
最热
STN4412
STN4412
※
过程代码: A〜Z ; A〜Z
※
STN4412S8RG S8 : SOP- 8 ; R:带卷轴; G:铅 - 免费
STANSON科技
120宾利广场,加州山景城94040 USA
www.stansontech.com
©2007 , Stanson公司
STN4412 2007 V1