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型号: STN4822
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内容描述: STN4822是使用高密度DMOS沟槽技术生产的双N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 [STN4822 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors which are produced using high cell density DMOS trench technology.]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 516 K
品牌: STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
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STN4822
STN4822
双N沟道增强型MOSFET
8.5A
描述
STN4822是双N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
它使用的是高密度的DMOS沟道技术生产。它适合于
功率管理应用程序的便携式或电池供电的系统中。
引脚配置
SOP-8
特征
½
½
½
½
½
30V / 8.5A ,R
DS ( ON)
= 16mΩ (典型值)。
@VGS = 10V
30V / 6.6A ,R
DS ( ON)
= 26mΩ
@VGS = 4.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS ( ON)
呈导通电阻和最大
DC电流能力
SOP- 8封装设计
最热
SOP-8
Y:年份代码A :过程代码
STANSON科技
120宾利广场,加州山景城94040 USA
www.stansontech.com
©2007 , Stanson公司
STN4822 2009 V1