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STN4850图片预览
型号: STN4850
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内容描述: STN4850是采用高密度, DMOS沟槽技术生产的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 [STN4850 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 532 K
品牌: STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
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STN4850
STN485
850
N沟道增强型MOSFET
7.2A
描述
STN4850是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
这是使用高密度生产, DMOS沟道技术。这种高密度
过程特别是针对减少通态电阻。这些设备是
特别适用于低电压应用,例如电源管理和其它
电池供电的电路,其中的高侧开关。
引脚配置
SOP-8
½
½
½
½
½
特征
60V / 7.2A ,R
DS ( ON)
= 27mΩ (典型值)。
@V
GS
= 10V
60V / 6.8A ,R
DS ( ON)
= 32mΩ
@V
GS
= 4.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS ( ON)
出色的导通电阻和
最大直流电流能力
SOP- 8封装设计
最热
Y:年份代码
答:处理代码
STANSON科技
120宾利广场,加州山景城94040 USA
www.stansontech.com
©2007 , Stanson公司
STN4850 2010 V1