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    STN6335 参数 Datasheet PDF下载

    STN6335图片预览
    型号： STN6335
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： STN6335是采用高密度， DMOS沟槽技术生产的双N沟道增强型功率场效应晶体管。 [STN6335 is the dual N-Channel enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 843 K
    品牌： STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
     浏览型号STN6335的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STN6335的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STN6335的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STN6335的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STN6335的Datasheet PDF文件第6页  
    STN6335
    STN6335
    双N沟道增强型MOSFET
    0.95A
    描述
    STN6335是双N沟道增强型功率场效应晶体管，其
    采用高密度， DMOS沟槽技术生产。这种高密度的工艺
    特别是针对减少通态电阻，提供出色的开关
    性能。这些装置特别适用于低电压应用，如
    笔记本电脑电路中的高边开关，低线功率损耗和
    需要抗瞬变。
    引脚配置
    SOT - 363 / SC70-6L
    D1
    G2
    S2
    特征
    ½
    ½
    ½
    ½
    ½
    20V / 0.95A ，R
    DS （ ON）
    = 380mΩ @ V
    GS
    =4.5V
    20V / 0.75A ，R
    DS （ ON）
    =450mΩ@V
    GS
    =2.5V
    20V / 0.65A ，R
    DS （ ON）
    =800mΩ@V
    GS
    =1.8V
    超高密度电池设计极
    低R
    DS （ ON）
    呈低导通电阻和最大
    DC电流能力
    SOT - 363 / SC70-6L包装设计
    35YW
    ½
    S1
    G
    D2
    Y：年
    答：处理代码
    订购信息
    产品型号
    STN6335
    包
    SOT - 363 / SC70-6L
    最热
    YA
    ※
    过程代码： A〜Z （ 1 〜 26 ） ; A〜Z （ 27 〜 52 ）
    STANSON科技
    120宾利广场，加州山景城94040 USA
    http://www.stansontech.com
    STN6335 2008 V1

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