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型号: STN9926AA
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内容描述: 该STN9926AA是双N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管都采用高密度, DMOS沟槽技术生产。 [The STN9926AA is the Dual N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology.]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 233 K
品牌: STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
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STN9926AA
双N沟道增强型MOSFET
6.0A
描述
该STN9926AA是双N沟道逻辑增强型功率场效应
晶体管都采用高密度, DMOS沟槽技术生产。
这种高密度的工艺特别适合于减小导通电阻。
这些装置特别适用于低电压应用中,笔记本电脑
锂离子电池
,电源管理和其它电池供电的电路,其中的高侧
切换。
引脚配置
SOP-8
特征
20V / 6.0A ,R
DS ( ON)
= 30mΩ
@VGS = 4.5V
20V / 5.0A ,R
DS ( ON)
= 42mΩ
@VGS = 2.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS ( ON)
出色的导通电阻和
最大直流电流能力
SOP- 8封装设计
最热
SOP-8
订购信息
产品型号
STN9926AAS8RG
STN9926AAS8TG
SOP-8
SOP-8
最热
STN9926
STN9926
过程代码: A〜Z ; A〜Z
STN9926AAS8RG S8 : SOP- 8 ; R:带卷轴; G:铅 - 免费
STN9926AAS8TG S8 : SOP- 8 ; T:管; G:铅 - 免费
1
120宾利广场,加州山景城94040 USA
www.stansontech.com
©2007 , Stanson公司
STN9926AA 2007 V1