P沟道增强型MOSFET
STP3481
-5.2A
描述
该STP3481是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
采用高密度, DMOS沟槽技术生产。
这种高密度的工艺特别适合于减小导通电阻。
这些装置特别适用于低电压应用,如蜂窝电话
和笔记本电脑的电源管理和其它电池供电的电路,并且
低线都需要在一个非常小的轮廓表面的功率损耗贴装封装。
引脚配置
TSOP-6P
特征
-30V / -5.2A ,R
DS ( ON)
= 55米欧姆
@VGS = -10V
-30V / -4.2A ,R
DS ( ON)
= 75米欧姆
@VGS = -4.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS ( ON)
呈导通电阻和最大
DC电流能力
TSOP- 6P包装设计
1.2.5.6.Drain
最热
TSOP-6P
3.Gate
4.Source
Y:年份代码
答:处理代码
订购信息
产品型号
STP3481S6RG
※
过程代码: A〜Z ; A〜Z
1
120宾利广场,加州山景城94040 USA
www.stansontech.com
STP3481 2006 V1
包
TSOP-6P
最热
81YA