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STP3481S6RG 参数 Datasheet PDF下载

STP3481S6RG图片预览
型号: STP3481S6RG
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内容描述: P沟道增强型MOSFET [P Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 384 K
品牌: STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
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P沟道增强型MOSFET
STP3481
-5.2A
电气特性
( TA = 25
除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅压漏
当前
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输
电容
开启时间
打开-O FF时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
tr
符号
条件
最小典型最大单位
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
fs
V
SD
V
GS
=0V,I
D
=-250
u
A
V
DS
=V
GS
,I
D
=-250uA
V
DS
=0V,V
GS
=
±
20V
V
DS
=-24V,V
GS
=0V
V
DS
=-24V,V
GS
=0V
T
J
=55
V
DS
≦-
5V,V
GS
=-10V
V
GS
=-10.0V,I
D
=-5.2A
V
GS
=-4.5V,I
D
=-4.2A
V
DS
=-5.0V,I
D
=-4.0A
I
S
=-1.0A,V
GS
=0V
-30
-1.0
-3.0
±
100
-1
-10
-10
0.041 0.055
0.058 0.075
V
V
Na
UA
A
Ω
S
V
10
-0.8 -1.2
V
DS
=-15V
V
GS
=-10V
I
D
-4.0A
V
DS
=-15V
V
GS
=0V
F=1MH
z
V
DD
=-15V
R
L
=15
Ω
I
D
=-1.0A
V
=-10V
R
G
=6
Ω
14
1.9
3.7
540
131
105
10
15
32
21
21
nC
pF
16
25
50
32
nS
t
D(关闭)
tf
3
120宾利广场,加州山景城94040 USA
www.stansontech.com
STP3481 2006 V1