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STP4403图片预览
型号: STP4403
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内容描述: STP4403是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管都采用高密度, DMOS沟槽技术生产。 [STP4403 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology.]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 321 K
品牌: STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
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STP4403
STP4403
P沟道增强型MOSFET
-
描述
STP4403是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
生产采用高密度, DMOS沟道技术。这种高密度的工艺
特别是针对减少通态电阻。这些器件特别
适用于低电压应用,如蜂窝电话和笔记本电脑
电源管理和其他电池供电的电路,以及低线功率损耗是
需要在一个非常小外形表面安装封装。
10.0A
引脚配置
SOP-8
特征
½
½
½
½
½
½
-20V / -10.0A ,R
DS ( ON)
= 20mΩ
@V
GS
= -4.5V
-20V / -8.6A ,R
DS ( ON)
= 25mΩ
@V
GS
= -2.5V
-20V / -7.6A ,R
DS ( ON)
= 35mΩ
@V
GS
= -1.8V
超高密度电池设计
非常低R
DS ( ON)
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOP- 8封装设计
最热
SOP-8
Y:年份代码
答:处理代码
STANSON科技
120宾利广场,加州山景城94040 USA
www.stansontech.com
©2007 , Stanson公司
STP4403 2010 V1