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    STP4803 参数 Datasheet PDF下载

    STP4803图片预览
    型号： STP4803
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： STP4803是采用高密度， DMOS沟槽技术生产的双P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 [STP4803 is the dual P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 697 K
    品牌： STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
     浏览型号STP4803的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STP4803的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STP4803的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STP4803的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STP4803的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STP4803的Datasheet PDF文件第7页  
    STP4803
    双P沟道增强型MOSFET
    -
    5.2A
    描述
    STP4803是双P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
    这是使用高密度生产， DMOS沟道技术。这种高密度
    过程特别是针对减少通态电阻。这些设备是
    特别适用于低电压应用，例如LCD背光，笔记本
    计算机的电源管理和其它电池供电的电路。
    引脚配置
    SOP-8
    特征
    ½
    ½
    ½
    ½
    ½
    -30V / -5.2A ，R
    DS （ ON）
    = 38mΩ （典型值）。
    @V
    GS
    =-10V
    -30V / -4.0A ，R
    DS （ ON）
    = 52mΩ
    @V
    GS
    = -4.5V
    超高密度电池设计
    非常低R
    DS （ ON）
    呈导通电阻和最大
    DC电流能力
    SOP- 8封装设计
    最热
    SOP-8
    订购信息
    产品型号
    STP4803
    ※
    过程代码： A〜Z ; A〜Z
    包
    SOP-8
    最热
    STP4803
    STANSON科技
    120宾利广场，加州山景城94040 USA
    www.stansontech.com
    ©2007 ， Stanson公司
    STP4803 2008 V1

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