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    STP4925 参数 Datasheet PDF下载

    STP4925图片预览
    型号： STP4925
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    内容描述： STP4925是采用高密度， DMOS沟槽技术生产的双P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 [STP4925 is the dual P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 577 K
    品牌： STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
     浏览型号STP4925的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STP4925的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STP4925的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STP4925的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STP4925的Datasheet PDF文件第6页  
    STP4925
    双P沟道增强模式
    MOSFET
    -
    7.2A
    描述
    STP4925是双P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
    这是使用高密度生产， DMOS沟道技术。这种高密度
    过程特别是针对减少通态电阻。这些设备是
    特别适用于低电压应用，例如LCD背光，笔记本
    计算机的电源管理和其它电池供电的电路。
    引脚配置
    SOP-8
    特征
    -30V / -7.2A ，R
    DS （ ON）
    = 20米（典型值）。
    @V
    GS
    =-10V
    -30V / -5.6A ，R
    DS （ ON）
    = 25m
    @V
    GS
    = -4.5V
    超高密度电池设计
    非常低R
    DS （ ON）
    呈导通电阻和最大
    DC电流能力
    SOP- 8封装设计
    最热
    SOP-8
    STANSON科技
    120宾利广场，加州山景城94040 USA
    www.stansontech.com
    ©2007 ， Stanson公司
    STP4925 2007 V1

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