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STP7401 参数 Datasheet PDF下载

STP7401图片预览
型号: STP7401
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内容描述: STP7401是采用高密度, DMOS沟槽技术生产的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 [STP7401 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 461 K
品牌: STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
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P沟道增强型MOSFET
STP7401
-2.8A
描述
STP7401是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,其
采用高密度, DMOS沟槽技术生产。这种高密度
过程特别是针对减少通态电阻。这些设备是
特别适用于低电压应用,如蜂窝电话和笔记本
计算机的电源管理,其它电池供电的电路,并且低线的功率
需要损失。该产品是在一个非常小的轮廓表面贴装封装。
引脚配置
SOT- 323 ( SC- 70 )
特征
-30V/-2.8A,
R
DS ( ON)
= 115mΩ
@V
GS
= -10V
-30V / -2.5A ,R
DS ( ON)
= 135mΩ
@V
GS
= -4.5V
-30V / -1.5A ,R
DS ( ON)
= 170mΩ
@V
GS
= -2.5V
-30V / -1.0A ,R
DS ( ON)
= 240mΩ
@V
GS
= -1.8V
超高密度电池设计
非常低R
DS ( ON)
出色的导通电阻和
最大直流电流能力
SOT- 323 ( SC - 70 )封装设计
3
D
G
1
1.Gate
2.Source
S
2
3.Drain
最热
SOT-323
3
01YW
1
Y:年份代码
2
答:处理代码
订购信息
产品型号
STP7401S32RG
SOT-323
最热
01YW
过程代码: A〜Z ; A〜Z
ST7401S32RG
S32 : SOT- 23-3L ; R:带卷轴; G:铅 - 免费
STANSON科技
120宾利广场,加州山景城94040 USA
http://www.stansontech.com
STP7401 2005 V1