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STP9235 参数 Datasheet PDF下载

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型号: STP9235
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内容描述: STP9235是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管都采用高密度, DMOS沟槽技术生产。 [STP9235 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology.]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 331 K
品牌: STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
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STP9235
STP92
P沟道增强型MOSFET
-
7.5A
电气特性
( TA = 25 ° ,除非另有说明)
参数
符号
条件
典型值
最大
单位
STATIC
漏源
击穿电压
栅极阈值
电压
栅极漏电流
零栅极电压
漏电流
导通状态漏极
当前
漏源开 -
阻力
前锋
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向
TransferCapacitance
开启时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
tr
t
D(关闭)
tf
V
DS
==-15V,VGS=0V
f=1MHz
V
DS
=-15V,V
GS
=-10V
I
D
≡-3.5A
16
2.3
4.5
680
120
75
14
V
DD
=-15V,R
L
=15Ω
I
D
=-1A,V
=-10V
R
G
=6Ω
15
42
30
25
26
70
50
nS
pF
24
nC
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
V
GS
=0V,ID=-250uA
V
DS
=V
GS
,ID=-250uA
V
DS
=0V,V
GS
=±20V
V
DS
=-18V,V
GS
=0V
I
DSS
V
DS
=-18V,V
GS
=0V
T
J
=85℃
V
DS
=-5V,V
GS
=-4.5V
V
GS
=-10V,I
D
=-7.5A
V
GS
=-6.0V,I
D
=-6.0A
V
GS
=-4.5V,I
D
=-5.4A
V
DS
=-15V,I
D
=-5.7V
I
S
=-2.3A,V
GS
=0V
-10
35
45
55
13
-0.8
-1.2
45
55
65
-25
-1.0
-3.0
±100
V
V
nA
-1
-5
uA
A
S
V
I
D(上)
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
V
SD
打开-O FF时间
STANSON科技
120宾利广场,加州山景城94040 USA
www.stansontech.com
©2007 , Stanson公司
STP9235 2009 V1