P沟道增强型MOSFET
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5.6A
描述
ST9435是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,其
采用高密度, DMOS沟槽技术生产。这种高密度
过程特别是针对减少通态电阻。这些设备是
特别适用于低电压应用,如电池组,笔记本
计算机的电源管理和其它电池供电的电路。
特征
-30V / -5.6A ,R
DS ( ON)
= 60mΩ
@V
GS
= -10V
-30V / -5.0A ,R
DS ( ON)
= 70mΩ
@V
GS
= -6.0V
-30V / -4.4A ,R
DS ( ON)
= 80mΩ
@V
GS
= -4.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS ( ON)
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOP- 8封装设计
最热
SOP-8
STP9435
引脚配置
SOP-8
订购信息
产品型号
STP9435S8RG
STP9435S8TG
包
SOP-8P
SOP-8P
最热
STP9435
STP9435
※
过程代码: A〜Z ; A〜Z
※
STP9435S8RG S8 : SOP- 8 ; R:带卷轴; G:铅 - 免费
※
STP9435S8TG S8 : SOP- 8 ; T:管; G:铅 - 免费
STANSON科技
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STP9435 2007 V1