P沟道增强型MOSFET
-
6.8A
描述
该STP9547是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
采用高密度, DMOS沟槽技术生产。
这种高密度的工艺特别适合于减小导通电阻。
这些装置特别适用于低电压应用,如蜂窝
手机和笔记本电脑的电源管理和其他面糊动力
电路中的高侧开关。
引脚配置
SOP-8
特征
-40V / -5.6A ,R
DS ( ON)
= 55mΩ
@V
GS
= -10V
-40V / -5.2A ,R
DS ( ON)
= 80mΩ
@V
GS
= -4.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS ( ON)
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOP- 8封装设计
STP9547
最热
SOP-8
订购信息
产品型号
STP9547S8RG
STP9547S8TG
包
SOP-8P
SOP-8P
最热
STP9547
STP9547
※
过程代码: A〜Z ; A〜Z
※
STP9547S8RG S8 : SOP- 8 ; R:带卷轴; G:铅 - 免费
※
STP9547S8TG S8 : SOP- 8 ; T:管; G:铅 - 免费
1
120宾利广场,加州山景城94040 USA
www.stansontech.com
©2007 , Stanson公司
STP9547 2007 Rev.1号