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BC847B 参数 Datasheet PDF下载

BC847B图片预览

型号：	BC847B
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	小信号NPN晶体管 [SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管光电二极管IOT
文件页数/大小：	4 页 / 42 K
品牌：	STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]

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BC847

热数据

R

吨HJ- AMB

•

R

日J- SR

•

热阻结到环境

热阻结底

最大

最大

420

330

o

o

C / W

C / W

•

安装在陶瓷基板面积= 10 ×8× 0.6毫米

电气特性

(T

例

= 25

o

C除非另有说明）

SYMB OL

I

CBO

参数

集电极截止

电流（I

E

= 0)

测试电导率银行足球比赛s

V

CE

= 30 V

V

CE

= 30 V

I

C

= 10

µA

T

AMB

= 150 C

50

o

分钟。

典型值。

马克斯。

15

5

取消它

nA

µA

V

V

（ BR ） CES

∗

集电极 - 发射极

击穿电压

(V

BE

= 0)

V

（ BR ） CBO

∗

集电极 - 基

击穿电压

(I

E

= 0)

V

（ BR ） CEO

∗

集电极 - 发射极

击穿电压

(I

B

= 0)

V

（ BR ） EBO

发射极 - 基

击穿电压

(I

C

= 0)

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

基射0：N

电压

直流电流摹泉

过渡˚F Characteristic低频

集电极和基

电容

集电极发射极

电容

噪声系数

输入阻抗

反向电压比

小信号电流

收益

输出导纳

I

C

= 10

µA

50

V

I

C

= 2毫安

45

V

I

C

= 10

µA

6

V

V

CE （SAT）

∗

V

BE （S AT）

∗

V

BE（上）

∗

h

FE

∗

f

T

C

CB

C

EB

NF

h

I E

∗

h

re

∗

h

fe

∗

h

oe

∗

I

C

= 10毫安

I

C

= 100毫安

I

C

= 10毫安

I

C

= 100毫安

I

C

= 2毫安

I

C

= 10毫安

I

C

= 10

µA

I

C

= 2毫安

I

E

= 0

I

C

= 0

I

B

- 0.5毫安

I

B

= 5毫安

I

B

- 0.5毫安

I

B

= 5毫安

V

CE

= 5 V

V

CE

= 5 V

V

CE

= 5 V

V

CE

= 5 V

0.58

0.09

0.2

0.75

0.9

0.63

0.7

150

290

300

0.25

0.6

V

V

V

V

0.7

0.77

450

V

V

200

I

C

= 10毫安V

CE

= 5 V F = 100MHz的

V

CB

= 10 V

V

EB

= 0.5 V

F = 1 MHz的

F = 1 MHz的

兆赫

4.5

pF

pF

10

8.5

dB

KΩ

10

-4

9

2

3.2

4.5

2

330

30

60

V

CE

= 5 V I

C

= 0.2毫安F = 1KHz的

∆f

= 200赫兹ř

G

= 2 KΩ

V

CE

= 5 V

V

CE

= 5 V

V

CE

= 5 V

V

CE

= 5 V

I

C

= 2毫安

I

C

= 2毫安

I

C

= 2毫安

I

C

= 2毫安

F = 1kHz时

F = 1kHz时

F = 1kHz时

F = 1kHz时

µs

∗

脉冲：脉冲宽度= 300

µs,

占空比

≤

2 %

2/4

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