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BC847C 参数 Datasheet PDF下载

BC847C图片预览
型号: BC847C
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内容描述: 小信号NPN晶体管 [SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 5 页 / 49 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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BC847B / BC847C
热数据
R
THJ - AMB
热阻结到环境
2
最大
500
o
C / W
设备安装在1cm的PCB面积。
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CBO
参数
集电极截止
电流(I
E
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
集电极 - 基
击穿电压
(I
E
= 0)
测试条件
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V
V
EB
= 5 V
I
C
= 10
µA
50
T
C
= 150 C
o
分钟。
典型值。
马克斯。
15
5
100
单位
nA
µA
nA
V
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
(I
B
= 0)
V
( BR ) EBO
发射极 - 基
击穿电压
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射极上
电压
直流电流增益
I
C
= 2毫安
45
V
I
E
= 10
µA
6
V
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
I
C
= 10毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 2毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 10
µA
BC847B
BC847C
I
C
= 2毫安
BC847B
BC847C
I
E
= 0
I
B
- 0.5毫安
I
B
= 5毫安
I
B
- 0.5毫安
I
B
= 5毫安
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
0.58
0.09
0.2
0.7
0.9
0.66
0.25
0.6
V
V
V
V
0.7
0.77
V
V
150
270
V
CE
= 5 V
200
420
100
2.5
2
10
290
520
450
800
兆赫
pF
dB
f
T
C
CBO
NF
跃迁频率
集电极 - 基
电容
噪声系数
I
C
= 10毫安V
CE
= 5 V F = 100MHz的
V
CB
= 10 V
F = 1 MHz的
V
CE
= 5 V I
C
= 0.2毫安F = 1KHz的
∆f
= 200赫兹ř
G
= 2 KΩ
脉冲:脉冲宽度= 300
µs,
占空比
2 %
2/4